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NJVMJD6039T4G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: NJVMJD6039T4G
Descrição: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 1.75W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo de transistor NPN - Darlington
Temperatura operacional -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores DPAK
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 4A
Atual - Corte de colecionador (Max) 10µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 500 @ 2A, 4V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 80V

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