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NJX1675PDR2G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Folha de dados: NJX1675PDR2G
Descrição: TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 2W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de transistor NPN, PNP
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição 100MHz, 120MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOIC
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 3A
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 30V

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