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NSBC114EF3T5G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: NSBC114EF3T5G
Descrição: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 254mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-1123
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número da parte base NSBC1*
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-1123
Resistor - Base de Emissores (R2) 10 kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 7914 pcs

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