NSBC114YDP6T5G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Folha de dados: | NSBC114YDP6T5G |
Descrição: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Série | - |
Embalagem | Digi-Reel® |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 339mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-963 |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Número da parte base | NSBC1* |
Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
Frequência - Transição | - |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-963 |
Resistor - Base de Emissores (R2) | 47kOhms |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
Atual - Corte de colecionador (Max) | 500nA |
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em estoque 6647 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1