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NSTB60BDW1T1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: NSTB60BDW1T1G
Descrição: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Cut Tape (CT)
Parte Status Active
Potência - Máximo 250mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Número da parte base NSTB60B
Resistor - Base (R1) 22kOhms
Frequência - Transição 140MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base de Emissores (R2) 47kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 150mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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