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NSV60101DMR6T1G
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Folha de dados: | NSV60101DMR6T1G |
| Descrição: | 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE( |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Série | Automotive, AEC-Q101 |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 530mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequência - Transição | 200MHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SC-74 |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 1A |
| Atual - Corte de colecionador (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 5V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 60V |
Em estoque 57 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.14 | $0.14 | $0.13 |
Mínimo: 1
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