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NSVDTC123JET1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: NSVDTC123JET1G
Descrição: TRANS NPN 50V 0.1A SC75
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-75, SOT-416
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-75, SOT-416
Resistor - Base de Emissores (R2) 47 kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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