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NSVMMBT6517LT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: NSVMMBT6517LT1G
Descrição: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 225mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3 (TO-236)
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 50nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 350V

Em estoque 75 pcs

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