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NSVMMUN2232LT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: NSVMMUN2232LT1G
Descrição: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 246mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número da parte base MMUN22**L
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base de Emissores (R2) 4.7 kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 21585 pcs

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