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NSVMUN5212DW1T1G
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Folha de dados: | NSVMUN5212DW1T1G |
| Descrição: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Série | - |
| Embalagem | Digi-Reel® |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 250mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Número da parte base | MUN52**DW1T |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Frequência - Transição | - |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Resistor - Base de Emissores (R2) | 22kOhms |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
| Atual - Corte de colecionador (Max) | 500nA |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em estoque 29750 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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