NTD3808N-1G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | NTD3808N-1G |
Descrição: | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tube |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±16V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | I-PAK |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 16V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1660pF @ 12V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 76A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Em estoque 69 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1