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NTHL080N120SC1

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	NTHL080N120SC1
Descrição:	SIC MOS TO247 80MW 1200V
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	+25V, -15V
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 5mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Dissipação de energia (Max)	348W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 20V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1670pF @ 800V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V