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NTJD1155LT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: NTJD1155LT1G
Descrição: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Standard
Parte Status Active
Potência - Máximo 400mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número da parte base NTJD1155
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-88/SC70-6/SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 8V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1.3A

Em estoque 53196 pcs

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