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NTLJD3115PT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: NTLJD3115PT1G
Descrição: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 P-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 710mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-WDFN Exposed Pad
Número da parte base NTLJD3115P
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-WDFN (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 531pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.3A

Em estoque 1354 pcs

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