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NVD5C648NLT4G

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	NVD5C648NLT4G
Descrição:	T6 60V LL DPAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101
Fet tipo	N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 45A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.1W (Ta), 72W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	18A (Ta), 89A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V