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NVD5C688NLT4G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: NVD5C688NLT4G
Descrição: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101
Fet tipo N-Channel
Embalagem Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.4mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max) 18W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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