A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

NVMFD6H852NLT1G

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	NVMFD6H852NLT1G
Descrição:	FET NCH 80V
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 26µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25.5mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.2W (Ta), 38W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	521pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	7A (Ta), 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V