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NVMFSW6D1N08HT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: NVMFSW6D1N08HT1G
Descrição: T8 80V 1 PART PROLIFERATI
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101
Fet tipo N-Channel
Embalagem -
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 120µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2085pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 17A (Ta), 89A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 59 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.71 $0.70 $0.68
Mínimo: 1

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