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NVMFSW6D1N08HT1G

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	NVMFSW6D1N08HT1G
Descrição:	T8 80V 1 PART PROLIFERATI
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	-
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 120µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.8W (Ta), 104W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2085pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	17A (Ta), 89A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V