Image is for reference only , details as Specifications

NVMYS3D3N06CLTWG

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	NVMYS3D3N06CLTWG
Descrição:	FET NCH 40V 123A
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101
Fet tipo	N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.9W (Ta), 100W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	4-LFPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40.7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2880pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	26A (Ta), 133A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V