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RFD12N06RLE

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: RFD12N06RLE
Descrição: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série UltraFET™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max) 40W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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