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RFD12N06RLESM9A

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	RFD12N06RLESM9A
Descrição:	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	UltraFET™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max)	49W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	485pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V