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SMMJT350T3G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: SMMJT350T3G
Descrição: BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série Automotive, AEC-Q101
Parte Status Active
Potência - Máximo 2.75W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-261-4, TO-261AA
Tipo de transistor PNP
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-223 (TO-261)
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic -
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 500mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 300V

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