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SMUN5112DW1T1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: SMUN5112DW1T1G
Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 250mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 22kOhms
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base de Emissores (R2) 22kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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