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QJD1210010
| Fabricantes: | Powerex, Inc. |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Folha de dados: | QJD1210010 |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Powerex, Inc. |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | - |
| Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) |
| Embalagem | Bulk |
| Fet recurso | Silicon Carbide (SiC) |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 1080W |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | Module |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Temperatura operacional | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
Em estoque 83 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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