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BSM120D12P2C005

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: BSM120D12P2C005
Descrição: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Half Bridge)
Embalagem Bulk
Fet recurso Silicon Carbide (SiC)
Parte Status Active
Potência - Máximo 780W
Pacote / Caso Module
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 22mA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 1200V (1.2kV)
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)

Em estoque 46 pcs

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