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BSM180C12P2E202

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	BSM180C12P2E202
Descrição:	BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tray
Vgs (Max) Vgs (Max)	+22V, -6V
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / Caso	Module
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Temperatura operacional	175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Dissipação de energia (Max)	1360W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	Module
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	20000pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	204A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-