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BSM300D12P2E001

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	BSM300D12P2E001
Descrição:	MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Half Bridge)
Embalagem	Tray
Fet recurso	Silicon Carbide (SiC)
Parte Status	Active
Potência - Máximo	1875W
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / Caso	Module
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 68mA
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Pacote de dispositivos de fornecedores	Module
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1200V (1.2kV)
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	35000pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	300A (Tc)