DTC363EUT106
Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Folha de dados: | DTC363EUT106 |
Descrição: | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ROHM Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Série | - |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Parte Status | Obsolete |
Potência - Máximo | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SC-70, SOT-323 |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Número da parte base | DTC363 |
Resistor - Base (R1) | 6.8 kOhms |
Frequência - Transição | 200MHz |
Pacote de dispositivos de fornecedores | UMT3 |
Resistor - Base de Emissores (R2) | 6.8 kOhms |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 600mA |
Atual - Corte de colecionador (Max) | 500nA |
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 20V |
Em estoque 98 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1