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DTC363EUT106

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: DTC363EUT106
Descrição: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-70, SOT-323
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número da parte base DTC363
Resistor - Base (R1) 6.8 kOhms
Frequência - Transição 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores UMT3
Resistor - Base de Emissores (R2) 6.8 kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 600mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 20V

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