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DTD123TSTP

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: DTD123TSTP
Descrição: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 300mW
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso SC-72 Formed Leads
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número da parte base DTD123
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Frequência - Transição 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SPT
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 500mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 40V

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