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EMB10T2R

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: EMB10T2R
Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Número da parte base MB10
Resistor - Base (R1) 2.2kOhms
Frequência - Transição 250MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores EMT6
Resistor - Base de Emissores (R2) 47kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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