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EMF17T2R

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: EMF17T2R
Descrição: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Not For New Designs
Potência - Máximo 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistor - Base (R1) 2.2kOhms
Frequência - Transição 250MHz, 140MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores EMT6
Resistor - Base de Emissores (R2) 2.2kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA, 150mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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