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EMF22T2R

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: EMF22T2R
Descrição: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequência - Transição 250MHz, 320MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores EMT6
Resistor - Base de Emissores (R2) 10kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V, 12V

Em estoque 55 pcs

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