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HS8K11TB

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	HS8K11TB
Descrição:	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Active
Potência - Máximo	2W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-UDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.9mOhm @ 7A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	HSML3030L10
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.1nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	7A, 11A