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IMH23T110

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: IMH23T110
Descrição: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 300mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-74, SOT-457
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Número da parte base *MH23
Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
Frequência - Transição 150MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SMT6
Resistor - Base de Emissores (R2) -
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 600mA
Atual - Corte de colecionador (Max) -
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 50mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 20V

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