Image is for reference only , details as Specifications

R6002END3TL1

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	R6002END3TL1
Descrição:	NCH 600V 2A POWER MOSFET
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)	26W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-252
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	65pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V