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R6008ANX

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	R6008ANX
Descrição:	MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Bulk
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Not For New Designs
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max)	50W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-220FM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V