A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

R6009KNJTL

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: R6009KNJTL
Descrição: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 535mOhm @ 2.8A, 10V
Dissipação de energia (Max) 94W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 991 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

STL10N60M6
STMicroelectronics
$0
TK5P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IRF630STRLPBF
Vishay / Siliconix
$0
STD7N65M2
STMicroelectronics
$0
SI7633DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0