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R8002ANX

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	R8002ANX
Descrição:	MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Bulk
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max)	35W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-220FM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	210pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V