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RCD100N19TL

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	RCD100N19TL
Descrição:	MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Not For New Designs
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	182mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	850mW (Ta), 20W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	CPT3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	190V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V