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RDN100N20FU6

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: RDN100N20FU6
Descrição: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Bulk
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 35W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220FN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 84 pcs

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