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RF4E070BNTR

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: RF4E070BNTR
Descrição: MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Not For New Designs
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerUDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.6mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores HUML2020L8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.9nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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