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RGT30NS65DGTL

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: RGT30NS65DGTL
Descrição: IGBT 650V 30A 133W TO-263S
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Digi-Reel®
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 32nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 133W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Condição de teste 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Comutação de energia -
Td (on/off) @ 25°C 18ns/64ns
Temperatura operacional -40°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores LPDS (TO-263S)
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Tempo de recuperação reverso (trr) 55ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 30A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 45A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 650V

Em estoque 976 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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