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RGT8NS65DGC9

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: RGT8NS65DGC9
Descrição: IGBT
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 13.5nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 65W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Condição de teste 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Comutação de energia -
Td (on/off) @ 25°C 17ns/69ns
Temperatura operacional -40°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-262
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Tempo de recuperação reverso (trr) 40ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 8A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 12A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 650V

Em estoque 1000 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.73 $1.70 $1.66
Mínimo: 1

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