RGT8NS65DGC9
Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - IGBTs - Single |
Folha de dados: | RGT8NS65DGC9 |
Descrição: | IGBT |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ROHM Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - IGBTs - Single |
Série | - |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Embalagem | Tube |
Tipo de entrada | Standard |
Carga da porta | 13.5nC |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 65W |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Condição de teste | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
Comutação de energia | - |
Td (on/off) @ 25°C | 17ns/69ns |
Temperatura operacional | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-262 |
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Tempo de recuperação reverso (trr) | 40ns |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 8A |
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) | 12A |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 650V |
Em estoque 1000 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.73 | $1.70 | $1.66 |
Mínimo: 1