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RGTH00TS65DGC11

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: RGTH00TS65DGC11
Descrição: IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 94nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 277W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Condição de teste 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Comutação de energia -
Td (on/off) @ 25°C 39ns/143ns
Temperatura operacional -40°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247N
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Tempo de recuperação reverso (trr) 54ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 85A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 200A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 650V

Em estoque 9 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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