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RQ3E100BNTB

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	RQ3E100BNTB
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-HSMT (3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V