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RQ3E110AJTB

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	RQ3E110AJTB
Descrição:	RQ3E110AJ IS LOW ON-RESISTANCE A
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	2W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-HSMT (3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.5nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	11A (Ta), 24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V