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RQ6E080AJTCR

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	RQ6E080AJTCR
Descrição:	RQ6E080AJ IS LOW ON - RESISTANCE
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 2mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	950mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TSMT6 (SC-95)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.2nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1810pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V