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RS1E200BNTB

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	RS1E200BNTB
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3W (Ta), 25W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	20A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V