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RS1E350GNTB

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: RS1E350GNTB
Descrição: 4.5V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOS
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4060pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 35A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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