A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

RS1E350GNTB

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	RS1E350GNTB
Descrição:	4.5V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOS
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4060pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	35A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V