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RSJ650N10TL

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: RSJ650N10TL
Descrição: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 100W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores LPTS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10780pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 65A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

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